小家電
無刷直流風(fēng)扇是一種沒有機(jī)械換向器和電刷的直流電動機(jī),它采用電子換向裝置,從而克服了一般直流電機(jī)存在的有換向火花、可靠性差、噪聲大、對無線電干擾等弱點。它既有一般直流電動機(jī)的機(jī)械特性和調(diào)節(jié)性,又具有調(diào)速范圍寬、體積小、啟動迅速、運行可靠、效率高、壽命長等優(yōu)點。目前廣泛應(yīng)用于小家電風(fēng)扇行業(yè),一般功率小于100W。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有P+N,N+N,3 Phase。
NCE的優(yōu)勢:
更小的封裝尺寸:針對有刷無刷直流電機(jī)的雙芯片N+N或者N+P的雙芯封裝芯片。
更大的電流能力:運用CLIP和貼片式封裝使芯片的散熱能力更強。
更好的可靠性:更強的雪崩能力和抗沖擊能力。
智能掃地機(jī)器人是現(xiàn)代家庭環(huán)境設(shè)計的新型地板、地毯清潔用具,使用可充電電池作為電源,集打掃、吸塵功能于一身。掃地機(jī)器人的基本架構(gòu)通常包括中央處理器、電源/電池管理單元、電池充電器、無線通信模塊、人機(jī)界面、傳感器及驅(qū)動模塊(有刷和無刷電機(jī))。隨著市場及應(yīng)用要求進(jìn)一步提升,馬達(dá)驅(qū)動及鋰電管理也向高功率密度,體積小型化,連續(xù)工作時間長的方向發(fā)展,首先要求功率器件可靠且高效節(jié)能,其次全新的封裝外形以實現(xiàn)體積更小的設(shè)計也非常重要。
新潔能Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品,能實現(xiàn)高頻開關(guān)(低Rg),低傳導(dǎo)損耗(最優(yōu)的RDSon性能)、低開關(guān)損耗(優(yōu)良的開關(guān)特性),配合先進(jìn)的封裝技術(shù),提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度,同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量,實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
AC/DC充電器 MOS:
SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=900mΩ-2400mΩ
同步整流MOS:
N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET:VDS=100V-150V Ron@10V(max)<10mΩ
步進(jìn)電機(jī):
Complementary MOSFET:VDS=12V-30V P+N雙芯
Dual N and P-channel MOSFET:VDS=18V-30V N+N雙芯
IC:柵極驅(qū)動 IC
吸塵電機(jī):
N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET:VDS=30V Ron@10V(max)=2.3mΩ-7.1mΩ
柵極驅(qū)動IC:三相橋驅(qū)動
鋰電池充放電MOS:
N-channel Trench MOSFET:VDS=30V Ron@10V(max)<11mΩ
N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET:VDS=30V Ron@10V(max)<10mΩ
隨著市場趨勢走向快速烹飪成為新的亮點,快速烹飪要求更高功率高效率的電磁爐,這也意味著元器件必須在更苛刻的條件下工作。加熱更快,更均勻和更高能效使感應(yīng)烹飪成為一個日益增長的消費趨勢。但設(shè)計一個感應(yīng)烹飪系統(tǒng)并非沒有挑戰(zhàn)。設(shè)計人員經(jīng)常面臨電網(wǎng)擾動引起的現(xiàn)場高故障率問題,爐灶的更換和維修成本非常高。另一方面,市場的競爭性增加了成本壓力并限制保護(hù)功能的應(yīng)用。
新潔能Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品具有飽和壓降低,開關(guān)損耗小,功率密度高,開關(guān)震蕩小,參數(shù)一致性高等特點,為你提供更具性價比的產(chǎn)品。
1200V-1350V IGBT:VCE=1350V, ID=15A/25A/40A
破壁機(jī)與傳統(tǒng)榨汁機(jī)相比,具有超高轉(zhuǎn)速瞬間擊破果蔬等食材的細(xì)胞壁,更有效提取食材營養(yǎng),且口感細(xì)膩。在功能上,破壁機(jī)集合了榨汁機(jī)、豆?jié){機(jī)、料理機(jī)、研磨器、以及和面機(jī)等功能,大大提升了產(chǎn)品的適用范圍,是現(xiàn)代居家保健、養(yǎng)生首選的神器。目前高端破壁機(jī)多采用PMSM電機(jī)控制,具有更小的體積、更高的轉(zhuǎn)速、更低的工作噪音、更強勁的破壁能力、更寬的調(diào)速范圍。
新潔能為您提供了豐富廣泛的產(chǎn)品組合,包括650V/700V的 Super Junction MOSFET III系列產(chǎn)品、新一代Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品,在降低器件功耗,提升系統(tǒng)效率的同時,兼具了更好的魯棒性。
開關(guān)電源:
SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=360mΩ-1100mΩ
馬達(dá)驅(qū)動:
600V-650V IGBT:ID=7A-40A
近年來,抽油煙機(jī)的變頻技術(shù)逐漸成熟,相比于普通交流電機(jī)煙機(jī),直流電機(jī)煙機(jī)最大差異化就是直流電機(jī)煙機(jī)更節(jié)能、更高效、噪聲低,直流變頻電機(jī)煙機(jī)的全壓效率32%遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于國家標(biāo)準(zhǔn)25%,同比節(jié)能30%以上。另外由于中式廚房的環(huán)境問題,對油煙機(jī)的電機(jī)性能也提出了新的考驗,傳統(tǒng)定頻電機(jī)定子和轉(zhuǎn)子之間形成油垢,電機(jī)就會造成發(fā)熱等情況,大大減小了使用壽命,直流變頻電機(jī)煙機(jī)具有更好的密封性。在變頻控制器的作用下,能夠確保煙機(jī)各項電壓、電流參數(shù)更精確,從而延長煙機(jī)綜合使用壽命。
新潔能應(yīng)對市場發(fā)展,推出新一代Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品,具有飽和壓降低,開關(guān)損耗小,功率密度高,開關(guān)震蕩小,參數(shù)一致性高等特點,令系統(tǒng)穩(wěn)定平穩(wěn)運行的同時抑制振動,帶來較少的噪音。
輔助電源部份MOS:
SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=360mΩ-1100mΩ
風(fēng)機(jī)驅(qū)動IGBT:
VCE=600V-1200V ID=7A-40A
PIM:1200V 200A以內(nèi)
空氣凈化器主要由馬達(dá)、風(fēng)扇、空氣過濾網(wǎng)等系統(tǒng)組成,其工作原理為:機(jī)器內(nèi)的馬達(dá)和風(fēng)扇使室內(nèi)空氣循環(huán)流動,污染的空氣通過機(jī)內(nèi)的空氣過濾網(wǎng)后將污染物清除或吸附,將空氣不斷電離,產(chǎn)生大量負(fù)離子,被微風(fēng)扇送出,形成負(fù)離子氣流,達(dá)到清潔、凈化空氣的目的。隨著人們生活水平的提高,越發(fā)認(rèn)識到清潔空氣對于身體健康的重要性。為了改善日益嚴(yán)重的空氣環(huán)境,空氣凈化類產(chǎn)品成為家電賣場中熱門的產(chǎn)品品類,其中空氣凈化器作為改善室內(nèi)空氣環(huán)境有效工具而受到用戶的青睞。
新潔能針對空氣凈化器也推出了P+N雙芯系列MOS,以滿足和應(yīng)對市場的發(fā)展及變化。
開關(guān)電源部分:
高壓MOS:
SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=360mΩ-1100mΩ
同步整流MOS:
SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET:VDS=100V-150V Ron@10V(max)<10mΩ
電機(jī)部份
Complementary MOSFET:VDS=30V-40V P+N雙芯
IC:柵極驅(qū)動 IC
吸塵器是現(xiàn)代家庭比較常見的集打掃、吸塵功能于一身的清潔工具。吸塵器的動力部分主要有吸塵器電機(jī)和無刷電機(jī)控制器。吸塵器的風(fēng)機(jī)葉輪在電動機(jī)高速驅(qū)動下,將葉輪中的空氣快速排除風(fēng)機(jī),同時使吸塵部分空氣不斷地補充進(jìn)風(fēng)機(jī),配合掃塵刷將粉塵臟污吸入腔體。便攜式吸塵器的功率一般為250W以下。
新潔能Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品,能實現(xiàn)高頻開關(guān)(低Rg),低傳導(dǎo)損耗(最優(yōu)的RDSon性能)、低開關(guān)損耗(優(yōu)良的開關(guān)特性),配合先進(jìn)的封裝技術(shù),提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度,同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量,實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。
AC/DC充電器 MOS:
SJ-III MOSFET:VDS=650V-700V Ron@10V(max)=140mΩ-680mΩ
同步整流MOS:
SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET:VDS=100V-150V Ron@10V(max)<10mΩ
電機(jī):
SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET:VDS=40V Ron@10V(max)=1mΩ-6.6mΩ DFN5*6
SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET:VDS=60V Ron@10V(max)=3.1mΩ-7.5mΩ DFN5*6
鋰電池充放電:
SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET & N-channel Trench MOSFET:
VDS=40V Ron@10V(max)=1mΩ-6.6mΩ DFN5*6
VDS=60V Ron@10V(max)=3.1mΩ-7.5mΩ DFN5*6
地板刷:
Complementary MOSFET:VDS=12V-30V P+N雙芯
Dual N and P-channel MOSFET:VDS=18V-30V N+N雙芯
IC:柵極驅(qū)動 IC